Статьи Как работает флеш-память, и почему SLC, MLC и TLC отличаются по выносливости

Тема в разделе "Жесткие диски", создана пользователем akok, 15 дек 2014.

Метки:
  1. akok
    Оффлайн

    akok Команда форума Администратор

    Сообщения:
    12.456
    Симпатии:
    13.954
    В начале 2013 года в большинстве дисков ведущих изготовителей стояла память 25nm MLC (Intel/Micron) и 24nm MLC (Toshiba/SanDisk), но почти за два года картина сильно изменилась. В современных накопителях сейчас стандартом является уже флэш-память 20nm и 19nm. Причем у Toshiba/SanDisk сейчас в ходу уже второе поколение памяти 19nm, а Micron может похвастаться дисками с 16nm MLC NAND.
    Все завязано на прибыль, как и в любом бизнесе. Стоимость полупроводников пропорциональна размеру кристалла. Уменьшение его габаритов по осям X и Y позволяет производителям получать из одной вафли больше кристаллов, что снижает их стоимость.

    [​IMG]
    Этапы техпроцесса NAND. Слева направо кристаллы: 2 х 34nm, 1 х 25nm, 1 х 20nm.
    Альтернативно, можно добавлять больше транзисторов на каждый кристалл, что повышает его плотность при том же размере, т.е. дает больше Gbit на вафлю. В отличие от узла техпроцесса, плотность в технических характеристиках редко указывают, но в специализированных обзорах ее можно найти.

    [​IMG]
    Увеличить рисунок

    Работники SK Hynix демонстрируют вафли флэш-памяти
    Теоретически при сжатии кристалла расходы на производство снижаются (или увеличивается прибыль). Однако на практике каждый новый виток уменьшения литографии сокращает чистые доходы изготовителей по сравнению с предыдущим узлом техпроцесса. С одной стороны, возрастают расходы на исследования и производство памяти по новой технологии. С другой, остро встают вопросы целостности данных и срока жизни накопителя, потому что с уменьшением размера ячейки памяти становится все труднее бороться с законами физики.

    Давайте немного залезем в технические подробности.

    Продолжение
     
    machito и shestale нравится это.

Поделиться этой страницей