Первый взгляд на самую быструю ОЗУ DDR5 4800 МГц от SK Hynix
16.01.20
Более года назад многие крупные производители оперативной памяти выпустили первые образцы на базе перспективной DDR5. Время от времени в прессу просачивались утечки, в которых кроме бесполезных цифр было не на что посмотреть. Однако, на выставке CES 2020 был продемонстрирован образец оперативной памяти от SK Hynix, имеющий тактовую частоту 4800 МГц.
Как сообщили представители компании, разработка идёт в полном соответствии с планом. Память отвечает заявленным показателям и демонстрирует повышенную энергоэффективность и производительность. Посетители выставки могли лицезреть модель на 64 ГБ стандарта DDR5 RDIMM с ECC, рассчитанным на скорость передачи данных 4800 МТ/с. Техническое название карты памяти было следующего содержания: HMCA8GR8MJR4C-EB. ОЗУ состоит из 20-ти микросхем памяти, каждая из которых маркирована как H5CNAG4NMJ, включая драйвер тактового регистра ID89 P8900-Z2 (RCD).
За прошедший год маркировка претерпела значительные изменения, что может свидетельствовать о более позднем варианте, чем тот, что был показан в конце 2018 года. Это, по мнению экспертов, указывает на финальную стадию разработки соответствующего типа памяти.
DDR5 RDIMMS получила 288 контактов и немного изменённый дизайн с целью избежать путаницы между текущим и следующим поколением памяти. Как указывают эксперты, некоторые производители уже получили первые модули памяти стандарта DDR5 для тестов. Массовый выход нового поколения памяти намечен на 2021 год.
16.01.20
Более года назад многие крупные производители оперативной памяти выпустили первые образцы на базе перспективной DDR5. Время от времени в прессу просачивались утечки, в которых кроме бесполезных цифр было не на что посмотреть. Однако, на выставке CES 2020 был продемонстрирован образец оперативной памяти от SK Hynix, имеющий тактовую частоту 4800 МГц.
Как сообщили представители компании, разработка идёт в полном соответствии с планом. Память отвечает заявленным показателям и демонстрирует повышенную энергоэффективность и производительность. Посетители выставки могли лицезреть модель на 64 ГБ стандарта DDR5 RDIMM с ECC, рассчитанным на скорость передачи данных 4800 МТ/с. Техническое название карты памяти было следующего содержания: HMCA8GR8MJR4C-EB. ОЗУ состоит из 20-ти микросхем памяти, каждая из которых маркирована как H5CNAG4NMJ, включая драйвер тактового регистра ID89 P8900-Z2 (RCD).
За прошедший год маркировка претерпела значительные изменения, что может свидетельствовать о более позднем варианте, чем тот, что был показан в конце 2018 года. Это, по мнению экспертов, указывает на финальную стадию разработки соответствующего типа памяти.
DDR5 RDIMMS получила 288 контактов и немного изменённый дизайн с целью избежать путаницы между текущим и следующим поколением памяти. Как указывают эксперты, некоторые производители уже получили первые модули памяти стандарта DDR5 для тестов. Массовый выход нового поколения памяти намечен на 2021 год.