Ведущая полупроводниковая «кузница» в мире TSMC в понедельник анонсировала новый техпроцесс печати кремниевых чипов — N12e. Речь идёт об усовершенствованных 12-нм нормах FinFET, разработанных специально с прицелом на выпуск недорогих энергоэффективных чипов для тех сфер, где передовой 7-нм или 5-нм техпроцесс — не главное.
N12e будет применяться для производства процессоров 5G, модемов и периферийных устройств Интернета вещей вроде полностью беспроводных наушников, процессоров для умных часов, носимых устройств, шлемов виртуальной реальности, однокристальных систем начального и среднего уровня и так далее.
Эти новые нормы являются развитием техпроцесса 12FFC+_ULL компании и остаются в классе 12–16 нм. Они призваны прийти на смену нормам TSMC 22ULL с точки зрения цены и обслуживаемых секторов, предлагая: увеличение плотности транзисторов на 76 %; рост тактовой частоты на 49 % при неизменном энергопотреблении; повышение энергоэффективности на 55 % при неизменной производительности; снижение токов утечки SRAM на 50 % и низкий Vdd с поддержкой работы логики при напряжениях вплоть до 0,4 В. Последний параметр, в частности, должен сделать техпроцесс подходящим для крошечных устройств с питанием от небольших аккумуляторов — например, для различной носимой электроники.
Источник:
N12e будет применяться для производства процессоров 5G, модемов и периферийных устройств Интернета вещей вроде полностью беспроводных наушников, процессоров для умных часов, носимых устройств, шлемов виртуальной реальности, однокристальных систем начального и среднего уровня и так далее.
Эти новые нормы являются развитием техпроцесса 12FFC+_ULL компании и остаются в классе 12–16 нм. Они призваны прийти на смену нормам TSMC 22ULL с точки зрения цены и обслуживаемых секторов, предлагая: увеличение плотности транзисторов на 76 %; рост тактовой частоты на 49 % при неизменном энергопотреблении; повышение энергоэффективности на 55 % при неизменной производительности; снижение токов утечки SRAM на 50 % и низкий Vdd с поддержкой работы логики при напряжениях вплоть до 0,4 В. Последний параметр, в частности, должен сделать техпроцесс подходящим для крошечных устройств с питанием от небольших аккумуляторов — например, для различной носимой электроники.
Источник:
- TechPowerUp
