В 2013 году компания Samsung первой перешла от планарной NAND-памяти к трёхмерной, получившей маркетинговое имя V-NAND. Дебютным продуктом стали 24-слойные чипы, сейчас чипмейкер поставляет накопители с памятью уже 6-го поколения, насчитывающей 136 «этажей», хотя Micron уже начала производить 176-слойные решения. У Samsung этом году также будут 176-слойные чипы V-NAND, причисляемые к 7-му поколению.
Интерфейс подключения памяти может похвастаться скоростью передачи данных в 2000 МТ/с (мегатранзакций в секунду). Высокая пропускная способность позволит использовать 176-слойные чипы с внешним интерфейсом PCI-E 4.0 и будущим PCI-E 5.0. Также к новой памяти готовится новый контроллер, «оптимизированный для многозадачности и огромных рабочих...