Корейская компания SK Hynix использует термин «4D NAND» осознанно, но предупреждает, что он призван отражать компоновочные преимущества по сравнению с 3D NAND. В третьем поколении такая память стала 176-слойной, и разработчики контроллеров уже получили образцы 512-гигабитных чипов. Массовое производство памяти 4D NAND нового поколения начнётся в середине следующего года.
Источник изображения: SK Hynix
Как поясняет производитель, микросхемы TLC нового поколения сочетают технологию затвора с ловушкой заряда и компоновку с размещением периферийных цепей под массивом ячеек памяти. Впервые представленная в 2018 году в 96-слойном варианте, эта память в третьем поколении предлагает 176 слоёв. По словам SK Hynix, такая память обеспечивает...